近日，第十一届电子设计创新大会（EDICON 2026）在北京召开。作为全球微波与射频领域的权威盛会，EDICON 汇聚了产业链上下游的顶尖专家，共同探讨下一代通信技术的演进路径。三安光电旗下子公司三安集成受邀出席，并发表了题为《三安射频技术在下一代应用中的布局》的技术报告，深入分享了其在砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）及滤波器领域的最新工艺进展。
近日，第十一届电子设计创新大会（EDICON 2026）在北京召开。作为全球微波与射频领域的权威盛会，EDICON 汇聚了产业链上下游的顶尖专家，共同探讨下一代通信技术的演进路径。三安光电旗下子公司三安集成受邀出席，并发表了题为《三安射频技术在下一代应用中的布局》的技术报告，深入分享了其在砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）及滤波器领域的最新工艺进展。
随着 3GPP R18 至 R20 标准的演进，R21 发布在即，行业对 5G-A/6G 网络的能力展开充分研讨，射频前端器件因此正面临性能与设计的严峻挑战。未来的射频设计需在 R19/R20 等新标准下实现更高的功率等级（Power Class），同时非地面网络（NTN）等新应用场景也对输出功率及隔离度提出严苛指标。
此外，随着载波聚合（CA）技术及 4G/5G 协同双连接（ENDC）的普及，射频链路需在更小的物理尺寸内支持更大的带宽和输出功率，导致功放器件热密度急剧上升。如何在提升功率附加效率（PAE）的同时，解决高功率下的热耦合与可靠性问题，已成为当前射频工程师亟待攻克的核心痛点。
针对上述挑战，三安集成在报告中详细展示了最新一代砷化镓工艺 HP56 的性能表现。对比三安的前代工艺，HP56 在 3.5GHz 频段下保持良好线性度的同时，实现了更高的功率增益和更优越的最大功率附加效率，相比前代 HP12 工艺，增益提升了 2.6dB，效率提升了 2.6%，能够有效支持甚高频及更大带宽调制信号放大并显著降低 PA 功耗。
报告同时客观指出，随着功率密度的提升，芯片会面临更明显的热失控（Thermal Runaway）风险。对此，三安集成通过仿真与实测，提出了具体的工艺优化建议，通过调整结构和金属间距，可以有效降低结温，缓解热耦合效应，为设计客户解决高功率下的可靠性问题提供了切实可行的参考方案。
面向商业航天、非地面通信等未来高频通信应用场景，三安集成也同步展示了在氮化镓工艺与滤波器产品上的技术布局：
• 氮化镓（GaN）技术：新一代工艺重点针对功率密度与电流崩塌效应进行了优化，旨在通过外延与工艺的代际升级，实现效率与可靠性的双重提升，以满足民用基站及商用航天对高效率的迫切需求。
• 滤波器产品：公司的 1109 NTN SAW 滤波器系列已覆盖 n256 频段及 BDS 接收频段，能够针对性解决卫星通信中现网共存频段临近过密、边带抑制要求高的技术难点，同时带内插损仅为 1dB 左右，为天地一体化通信提供关键支持。
三安集成将持续投入射频工艺研发，以客户需求为中心，为全球客户提供高性能、高可靠性的射频制造方案，助力下一代无线通信技术与产业的高质量发展。
来源：互联网
