填补国内 SiC 器件应用关键空白
6 月 22 日，芯联集成控股公司芯联动力宣布正式推出 3300V SiC MOSFET 器件。该产品填补了国内高压 SiC 器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白，是 AI 基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的关键突破。
随着生成式 AI 算力需求呈指数级增长，单 AI 机柜功率密度正向兆瓦级别迈进。英伟达年初宣布推动 AI 数据中心供电架构向 800V HVDC 演进，固态变压器成为 AI 数据中心领域的关键环节；在智能电网与新能源领域，固态变压器同样发挥着核心作用。随着固态变压器市场的逐步起量，高压 SiC 器件将迎来更明确的量产需求。
据了解，此次芯联动力推出的 3300V SiC MOSFET 器件面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。基于 3300V 器件优势形成的综合方案，可实现系统级 BOM 成本降低 20%~35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。
行业认为，此次 3300V SiC 器件的发布，填补了国内高压 SiC 器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白，是高压宽禁带半导体领域实现的关键突破。
芯联动力聚焦于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的一站式系统解决，主要服务于新能源车、AI 数据中心电源、能源与工控等领域，拥有国内首条 8 英寸碳化硅 MOSFET 产线，是国内少数实现新能源汽车主驱 SiC 芯片量产的企业，目前主要布局数据中心 800V HVDC 的 SiC 及 GaN 解决方案、固态变压器 SST 器件等 AIDC 领域。
据第三方研究平台 NE 时代发布 2026 年一季度数据，芯联动力碳化硅功率模块装机量位居国内第二，市场份额达到 14.6%。
