传统的嵌入式非易失性存储 NOR Flash 在微缩到 40nm 后已经接近物理极限，而 40nm 以下的嵌入式非易失性存储 NOR Flash 工艺相当复杂，且成本大幅度提高，嵌入式内存技术面临着重大挑战。
传统的嵌入式非易失性存储 NOR Flash 在微缩到 40nm 后已经接近物理极限，而 40nm 以下的嵌入式非易失性存储 NOR Flash 工艺相当复杂，且成本大幅度提高，嵌入式内存技术面临着重大挑战。江苏时代芯存半导体有限公司（以下简称：时代芯存）母公司北京时代全芯存储技术股份有限公司（以下简称：时代全芯）积极布局的相变存储器（PCM）能够为嵌入式内存技术发展提供极大的帮助。
在 FD-SOI 和 FinFET 高级 CMOS 技术中，传统浮栅嵌入式非易失性存储器（eNVM) 的集成在 28nm 和更小的硅几何结构上是一个重大的技术挑战。而新的 NVM 技术基于特殊外来材料的功能特性，采用了与 Flash 存储器技术完全不同的物理机制，能够为 28 纳米 CMOS 转变带来的工艺集成困难提供更有效的解决方案。
在新型 NVM 技术中，最成熟的是相变存储器（PCM)。相变记忆的基本机制是由斯坦福·罗伯特·奥夫斯基在 20 世纪 60 年代发明的。ST 持有原始开发的专利许可证，并在这项突破性工作的基础上发展了 15 年多，开发了嵌入式 PCM 解决方案（ePCM)，该解决方案如今已集成到 28nm FD-SOI 技术平台中。
据了解，相变存储器是用锗锑碲（GST) 合金制成的，它利用了材料在非晶态和晶态之间物理性质的快速热控变化。对应于逻辑 0 和 1 的这些状态通过非晶态（逻辑 0) 中的高电阻和晶态（逻辑 1) 中的低电阻进行电区分。
PCM 在低电压下读写，与 Flash 和其他嵌入式存储器技术相比，具有许多显著的优势，且 PCM 在 40nm 以下的嵌入式存储中优势尤为明显：一、与 40nm 以下 CMOS 工艺的兼容性；二、微缩的延伸性可达 18nm 以下，甚至更低；三、工艺兼容性，使制程工艺得以保持传统简单，成本不会因为微缩而大幅增加。
突破嵌入式 NOR 在 40nm 以下的瓶颈将是时代全芯发展的重点方向，时代全芯将继续深耕 PCM 领域，加大技术创新力度，以 PCM 技术赋能推动嵌入式内存技术的发展。
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